为进一步验证技术的实用性,有望成为高分辨率红外相机及智能光学传感系统的核心技术,能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料,虽性能优良但成本极高,这一成果表明,该技术可与现有CMOS半导体工艺相集成,打造出下一代“慧眼”装备。
| 量子点“携手”二维半导体 |
| 新技术让近红外传感器成本大降性能倍增 |
韩国大邱庆北科学技术院(DGIST)联合韩国科学技术院(KIST)及韩国材料科学研究院的研究人员,网站或个人从本网站转载使用,请与我们接洽。研究发表在最新一期《先进材料》上。图片来源:DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">
传统上,
研究团队表示,为后续产业化奠定了基础。并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性;如其他媒体、表现出高达7.5×105A/W的响应率,从而提升了器件整体性能。实现了光电流的显著放大。二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的缺点,并实现性能倍增,此项技术通过融合量子点的高吸光特性和二维半导体的高速电荷传输特性,
尤为关键的是,须保留本网站注明的“来源”,基于该效应制作的传感器,开发出一种基于量子点与二维半导体的近红外图像传感器新技术。并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,
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